Содержание пояснительной записки:
1) Аннотация.
) Оглавление.
) Анализ технического задания.
) Введение.
) Описание технологии изготовления электронно-дырочного перехода
) Расчётная часть.
) Конструкция диода современной твердотельной САПР
) Классификация разработанного электронно-дырочного перехода по граничной частоте и рассеиваемой мощности.
) Основные особенности использования диодных структур в интегральных схемах.
) Заключение.
Нужна помощь в написании курсовой?
Мы - биржа профессиональных авторов (преподавателей и доцентов вузов). Наша система гарантирует сдачу работы к сроку без плагиата. Правки вносим бесплатно.
) Список литературы.
Календарный план
электронный дырочный переход диодный
АННОТАЦИЯ
Колыхматов М. В. Расчёт электронно-дырочного перехода. — Челябинск: ЮУрГУ, КТУР, 2016, с. 32, 19 илл., Библиография литературы — 11 наименований, приложение -1.
В данной работе ставилась задача изучить литературу по теме электронно-дырочного перехода, определить вольтамперную характеристику, барьерную и диффузионную ёмкости, пробивное напряжение, граничную частоту, максимальную мощность рассеивания электронно-дырочного перехода.
В работе были рассчитаны характеристики полупроводникового диода, изготовленного по диффузионной технологии. Рассмотрены технологии изготовления, принцип действия, физические процессы в полупроводниковых диодах. Изучено применение диодных структур в интегральных схемах. Дано наглядное изображение полупроводникового диода.
ОГЛАВЛЕНИЕ
ЗАДАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
. АНАЛИЗ ТЕХНИЧЕСКОГО ЗАДАНИЯ
. ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА
Нужна помощь в написании курсовой?
Мы - биржа профессиональных авторов (преподавателей и доцентов вузов). Наша система гарантирует сдачу работы к сроку без плагиата. Правки вносим бесплатно.
. РАСЧЕТНАЯ ЧАСТЬ
. ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ДИОДНЫХ СТРУКТУР В ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ
. ЗАКЛЮЧЕНИЕ
. БИБИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
ПРИЛОЖЕНИЯ
ВВЕДЕНИЕ
Полупроводниковый диод — это электро-преобразовательный полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом и двумя выводами, в котором используются свойства р-n- перехода.
Полупроводниковые диоды классифицируются:
1) по назначению: выпрямительные, высокочастотные и сверхвысокочастотные (ВЧ- и СВЧ- диоды), импульсные, полупроводниковые стабилитроны (опорные диоды), туннельные, обращенные, варикапы и др.;
2) по конструктивно — технологическим особенностям: плоскостные и точечные;
) по типу исходного материала: германиевые, кремниевые, арсенидо — галлиевые и др.
Рисунок 1 Устройство точечных диодов
Нужна помощь в написании курсовой?
Мы - биржа профессиональных авторов (преподавателей и доцентов вузов). Наша система гарантирует сдачу работы к сроку без плагиата. Правки вносим бесплатно.
Для изготовления германиевых точечных диодов к пластинке германия приваривают проволочку из вольфрама, покрытого индием. Индий является для германия акцептором. Полученная область германия р-типа является эмиттерной.
Для изготовления кремниевых точечных диодов используется кремний n- типа и проволочка, покрытая алюминием, который служит акцептором для кремния.
В плоскостных диодах р-n-переход образуется двумя полупроводниками с различными типами электропроводности, причем площадь перехода у различных типов диодов лежит в пределах от сотых долей квадратного миллиметра до нескольких десятков квадратных сантиметров (силовые диоды).
Плоскостные диоды изготовляются методами сплавления (вплавления) или диффузии (2).
Рисунок 2 Устройство плоскостных диодов, изготовленных сплавным (а) и диффузионным методом (б)
В пластинку германия n-типа вплавляют при температуре около 500°С каплю индия (рис. 2, а) которая, сплавляясь с германием, образует слой германия р-типа. Область с электропроводностью р-типа имеет более высокую концентрацию примеси, нежели основная пластинка, и поэтому является эмиттером. К основной пластинке германия и к индию припаивают выводные проволочки, обычно из никеля. Если за исходный материал взят германий р-типа, то в него вплавляют сурьму и тогда получается эмиттерная область n- типа.
Диффузионный метод изготовления р-n-перехода основан на том, что атомы примеси диффундируют в основной полупроводник (рис. 2, б). Для создания р-слоя используют диффузию акцепторного элемента (бора или алюминия для кремния, индия для германия) через поверхность исходного материала.
1. АНАЛИЗ ТЕХНИЧЕСКОГО ЗАДАНИЯ
В ходе работы необходимо будет рассчитать полупроводниковый диод. В задании на курсовое проектирование приведены только основные величины, которых недостаточно для полного расчета параметров полупроводникового диода. Поэтому, в расчетной части будут указаны дополнительные величины и их значения, необходимые для проведения расчёта. Исходя из задания, следует, что полупроводниковый диод изготавливается по диффузионной технологии.
Диффузия — это взаимное проникновение соприкасающихся веществ друг в друга вследствие теплового движения частиц вещества. Диффузия происходит в направлении падения концентрации вещества и ведёт к равномерному распределению вещества по всему занимаемому им объёму (к выравниванию химического потенциала вещества). Коэффициент диффузии в твёрдых телах крайне чувствителен к дефектам кристаллической решётки, возникшим при нагреве, напряжениях, деформациях и других воздействиях. Увеличение числа дефектов (вакансий) облегчает перемещение атомов в твёрдом теле и приводит к росту коэффициента диффузии, для которого в твёрдых телах характерна резкая (экспоненциальная) зависимость от температуры. В результате диффузии носителей в полупроводниках возникает электрический ток, перемещение носителей заряда в полупроводниках обусловлено неоднородностью их концентрации. Для создания полупроводникового диода в одну из поверхностей германия вплавляют индий. Вследствие диффузии атомов индия в глубь монокристалла германия в нем образовывается р-n-переход, по которому может идти значительный ток при минимальном сопротивлении. Диффузия имеет широкое применение в повседневной жизни, используется практические во всех отраслях промышлености — от легкой до тяжелой.
2. ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА
Исторически первые полупроводниковые диоды изготавливались с помощью иглы (контакта), с помощью которой выбирали микрокристалл, образующий с основной массой p-n- переход. Эти диоды были относительно высокочастотными, но работали с малыми мощностями.
Нужна помощь в написании курсовой?
Мы - биржа профессиональных авторов (преподавателей и доцентов вузов). Наша система гарантирует сдачу работы к сроку без плагиата. Правки вносим бесплатно.
Первые силовые полупроводниковые диоды назывались купроксные и селеновые выпрямители. В первых — медная пластина со слоем закиси меди с нанесенной поверх металлизацией (выпрямляющий контакт Cu-Cu2O).
Во вторых — металлическая пластина, покрытая слоем закристаллизованного селена, поверх которого нанесен слой легирующего металла (переход p-Se — n-Se).
Точечные диоды — малые емкости, высокие рабочие частоты, малые мощности:
Рисунок 3 Точечный диод
Сплавные диоды — высокие рабочие токи и напряжения, но значительные емкости и низкие рабочие частоты:
Рисунок 4 Сплавной диод
Планарная диффузионная технология:
Рисунок 5 Планарная диффузионная технология
Планарная эпитаксиальная и эпитаксиально-диффузионная технология:
Рисунок 6 Планарная эпитаксиальная и эпитаксиально-диффузионная технология
Меза-диффузионная и меза-эпитаксиальная технологии — уменьшение площади перехода (для уменьшения емкостей и увеличения рабочих частот) специальным травлением:
Рисунок 7 Меза-диффузионная и меза-эпитаксиальная технологии
Нужна помощь в написании курсовой?
Мы - биржа профессиональных авторов (преподавателей и доцентов вузов). Наша система гарантирует сдачу работы к сроку без плагиата. Правки вносим бесплатно.
Локос-технология — уменьшение площади перехода локальным объемным
Рисунок 8 Локос-технология
3. РАСЧЕТНАЯ ЧАСТЬ
Процесс диффузии выражается формулой [7, с. 260]:
, (1)
где — концентрация примеси на расстоянии от поверхности диффузии по истечении времени диффузии ;
— концентрация примеси в начальной точке на поверхности, см-3;
/с;
— расстояние от поверхности диффузии, см;
— время диффузии, с.
Диффузия фосфора в кремниевую подложку проводится при температуре 1000 — 1200о C. В данной работе диффузия для фосфора производится при температуре 1400 К. Энергия активации — минимальное количество энергии, которое должны получить электроны донорной примеси, для того чтобы попасть в зону проводимости. По формуле (2) рассчитываем коэффициенты диффузии фосфора. [11, с. 11]:
Нужна помощь в написании курсовой?
Мы - биржа профессиональных авторов (преподавателей и доцентов вузов). Наша система гарантирует сдачу работы к сроку без плагиата. Правки вносим бесплатно.
, (2)
где — предэкспоненциальный множитель диффузии, м2∙с;
— энергия активации электрона, эВ;
— постоянная Больцмана; эВ/К;
— температура диффузии; К.
Значения для фосфора приведены в приложении 3 [ 1, c.107]:
/с;
= 3,7 эВ.
Подставив все значения в формулу (2), получаем коэффициент диффузии фосфора:
/с.
Учитывая, что на глубине залегания p-n перехода X = 2 м должно выполняться условие Nисх=5 см-3, Nод=218 см-3, для определения времени диффузии фосфора необходимо провести преобразования формулы (1) и получим:
, (3)
Нужна помощь в написании курсовой?
Мы - биржа профессиональных авторов (преподавателей и доцентов вузов). Наша система гарантирует сдачу работы к сроку без плагиата. Правки вносим бесплатно.
Подставив в формулу (3) известные величины, получим:
t = 5.5294 с.
После окончания процесса диффузии фосфора в кремниевую подложку концентрация примеси на поверхности кристалла стала равной .
Для того, чтобы определить концентрацию сформировавшейся донорной примеси на расстоянии глубины залегания p-n перехода, обусловленной диффузией фосфора, воспользуемся формулой процесса диффузии (1):
. (4)
Суммарная концентрация доноров после процесса диффузии на глубине залегания эмиттерного перехода равна
На рисунке (9) представлен график распределения примесей после диффузии:
Рисунок 9 Зависимость концентрации от глубины p-n перехода
На рисунке (10) представлено результирующее распределение N(x) в логарифмированном масштабе.
Рисунок 10 Логарифмированный график функции N
Ширина плавного перехода находится по формуле [1, с. 25]:
(5)
Нужна помощь в написании курсовой?
Мы - биржа профессиональных авторов (преподавателей и доцентов вузов). Наша система гарантирует сдачу работы к сроку без плагиата. Правки вносим бесплатно.
где 0 — диэлектрическая постоянная, 0= Ф/м;
— относительная диэлектрическая проницаемость, = 12;
U- полное напряжение на переходе, в данном случае
— градиент концентрации примеси в плавном pпереходе.
Для расчета ширины p-n-перехода необходимо найти градиент концентрации донорной примеси, определяющейся как первая производная от концентрации соответствующей примеси и выражаются следующей формулой:
(6)
После подстановки численных значений в формулу (6) получаем:
Также необходимо найти — контактную разность потенциалов. Она может быть найдена из решения трансцендентного уравнения [11, с. 25]:
, (7)
Где X — глубина залегания перехода, X=2 м;
— концентрация носителей заряда в собственном (нелегированном) полупроводнике, .
Нужна помощь в написании курсовой?
Мы - биржа профессиональных авторов (преподавателей и доцентов вузов). Наша система гарантирует сдачу работы к сроку без плагиата. Правки вносим бесплатно.
— параметр, зависящий от отношения =40 Решим уравнение графическим методом.
Рисунок 11 Решение трансцендентного уравнения
Получаем =0,7096 В.
Получив неизвестные переменные, рассчитаем ширину p-n перехода по формуле (5):
м
Для того чтобы построить вольт-амперную характеристику диода, воспользуемся известной формулой Шокли:
, (8)
где — температура, 300 К;- площадь перехода, 10-8 м;
— постоянная Больцмана, 1,38∙10-23 Дж/К;
— заряд электрона, 1,6∙10-19 Кл;
— ток насыщения, который определяется формулой [4, с. 276]:
(9)
Нужна помощь в написании курсовой?
Мы - биржа профессиональных авторов (преподавателей и доцентов вузов). Наша система гарантирует сдачу работы к сроку без плагиата. Правки вносим бесплатно.
где /с коэффициенты диффузии неосновных носителей есть физические константы полупроводника (прил. 5) [1, с. 108];
— концентрации основных и неосновных носителей заряда;
— диффузионные длины носителей заряда, которые мы можем найти по формулам:
, (10)
, (11)
Время жизни неосновных носителей найдём по формулам [1, c. 30]:
, (12)
, (13)
где — средние тепловые скорости электронов и дырок;
— сечения захвата рекомбинационных центров для электронов и дырок.
Средняя тепловая скорость электронов определяется по формуле [5, c.48]:
, (14)
Нужна помощь в написании курсовой?
Мы - биржа профессиональных авторов (преподавателей и доцентов вузов). Наша система гарантирует сдачу работы к сроку без плагиата. Правки вносим бесплатно.
где — постоянная Больцмана, Дж/К;
= 300 — абсолютная температура, К;
— эффективная масса носителей заряда, кг.
Эффективная масса носителей заряда определяется по формулам [9, с. 238]:
,, (15) , (16)
где — эффективная масса электронов, кг;
— эффективная масса дырок, кг;
— масса покоя электрона, кг.
Подставив известные значения в формулы (15) и (16), получаем:
кг,
кг.
Подставляя в формулу (14) найденные значения, определяем тепловые скорости электронов и дырок:
Нужна помощь в написании курсовой?
Мы - биржа профессиональных авторов (преподавателей и доцентов вузов). Наша система гарантирует сдачу работы к сроку без плагиата. Правки вносим бесплатно.
см/с,
см/c.
Сечения захвата рекомбинационных центров для электронов и дырок:
= 7,065*10-19
= 7,065*10-21
После подстановки всех неизвестных переменных в формулы (12) и (13) получаем:
с,
с.
Подставляем получившиеся значения в формулы (11) и (12) получим диффузионные длины носителей заряда:
= 7,1334·10-6
= 6,4814·10-5
Концентрации основных и неосновных носителей заряда можно найти следующим способом:
Нужна помощь в написании курсовой?
Мы - биржа профессиональных авторов (преподавателей и доцентов вузов). Наша система гарантирует сдачу работы к сроку без плагиата. Правки вносим бесплатно.
, (17)
, (18)
где — собственная концентрация, м-3.
Подставив значения получим:
= 4500 см-3;
= 112,5 см-3.
Подставляя в формулу (9) найденные значения, определяю ток насыщения:
, А
На рисунке (12) представлена вольт-амперная характеристика идеального диода.
Рисунок 12 Вольт-амперная характеристика диода
(19)
Нужна помощь в написании курсовой?
Мы - биржа профессиональных авторов (преподавателей и доцентов вузов). Наша система гарантирует сдачу работы к сроку без плагиата. Правки вносим бесплатно.
где =1.11 эВ;
— градиент концентрации примесей.
В результате подстановки найденных нами переменных, подставим значения в формулу (23), в итоге:
= 29,3339, В
Расчёт барьерной емкости буду вести по формуле [7, c. 147]:
, (20)
где — площадь соответствующего перехода, 10-4 см2;
ширина соответствующего перехода, см;
= 0,7096 — диффузионный потенциал для кремния, В;
ε = 11,8 — относительная диэлектрическая проницаемость кремния;
— электрическая постоянная, Ф/см;
U — напряжение смещения перехода, В.
Нужна помощь в написании курсовой?
Мы - биржа профессиональных авторов (преподавателей и доцентов вузов). Наша система гарантирует сдачу работы к сроку без плагиата. Правки вносим бесплатно.
Рисунок 13 Зависимость барьерной емкости от обратного напряжения
При нулевом напряжении смещения барьерная емкость равна 0,2859 нФ.
Диффузионная емкость описывается следующим выражением [2, с. 103]:
, (21)
где — время жизни дырок, ;
— время жизни электронов, ;
— температурный потенциал, = 0,0255 В при Т = 300 К.
На рисунке (13) показана зависимость диффузионной емкости от прямого напряжения.
Рисунок 13 Зависимость диффузионной емкости от прямого напряжения
Диффузионная емкость растет с увеличением времени жизни неосновных носителей или диффузионной длины , так как при этом происходит увеличение числа накопленных избыточных носителей в областях. Диффузионная емкость зависит от частоты. С повышением частоты емкость уменьшается, так как скопление избыточных зарядов не успевает за изменением напряжения на p-n- переходе.
Найдём граничную частоту полученного p-n перехода. Для этого воспользуемся следующей формулой:
Нужна помощь в написании курсовой?
Мы - биржа профессиональных авторов (преподавателей и доцентов вузов). Наша система гарантирует сдачу работы к сроку без плагиата. Правки вносим бесплатно.
, (22)
где — граничная частота, Гц;
— сопротивление n-области, Ом;
= 0,33559 нФ.
Рассчитаем сопротивление n-области
, (23)
где — сопротивление p-области, Ом;
— удельное сопротивление p-области, Ом∙м;
м;
— площадь p-n перехода, S=1∙10-8 м2.
Удельное сопротивление n-области находится по следующей формуле:
, (26)
Нужна помощь в написании курсовой?
Мы - биржа профессиональных авторов (преподавателей и доцентов вузов). Наша система гарантирует сдачу работы к сроку без плагиата. Правки вносим бесплатно.
где — удельное сопротивление n-области, Ом∙м;
— удельная проводимость, См.
Удельную проводимость можно найти по формуле:
, (27)
где — удельная проводимость, См;
Nд— концентрация доноров на границе ОПЗ, N=Nисх;
— подвижность электронов, /В∙с.
Получим:
.
= 0,0833 Ом∙м.
= 8,333 Ом.
МГц.
Нужна помощь в написании курсовой?
Мы - биржа профессиональных авторов (преподавателей и доцентов вузов). Наша система гарантирует сдачу работы к сроку без плагиата. Правки вносим бесплатно.
Произведём тепловой расчёт.
4. ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ДИОДНЫХ СТРУКТУР В ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ
Интегральная микросхема (ИМС) — это конструктивно законченное изделие электронной техники, выполняющее определенную функцию преобразования информации и содержащее совокупность электрически связанных между собой электрорадиоэлементов (ЭРЭ), изготовленных в едином технологическом цикле. Термин «интегральная микросхема» отражает: объединение значительного числа транзисторов, диодов, конденсаторов, резисторов и соединяющих проводников в единую конструкцию (конструктивная интеграция); выполнение схемой функций преобразования информации, более сложных по сравнению с функциями отдельных ЭРЭ (схемотехническая интеграция); выполнение в едином технологическом цикле одновременно всей схемы и межсоединений и одновременное формирование групповым методом большого числа одинаковых ИМС (технологическая интеграция).
Процесс создания полупроводниковой микросхемы сводится к формированию в приповерхностном слое полупроводниковой пластины элементов (транзисторов, диодов, резисторов) и к последующему их объединению в функциональную схему пленочными проводниками по поверхности пластины (межсоединения).
Для характеристики типа применяемых в ИМС транзисторов, а также технологических методов их изготовления пользуются понятием структура ИМС. В общем случае структура ИМС определяет последовательность слоев в составе микросхемы по нормали к поверхности кристалла, различающихся материалов, толщиной и электрофизическими свойствами. Так, в практике производства ИМС используют структуры на биполярных транзисторах (в частности, диффузионно-планарные, эпитаксиально-планарные и др.) на МДП-приборах, структуры И²Л и т. д. Заданная структура ИМС позволяет установить состав и последовательность технологических методов обработки пластины и определить технологические режимы для каждого метода.
На рисунке 14 представлен фрагмент ИМС с диффузионно-планарной структурой, включающий биполярный транзистор и резистор. Для одновременного формирования транзистора и резистора необходимо, чтобы р-область резистора и изолирующая его n-область имели глубину и электрофизические свойства, одинаковые с областями соответственно базы и коллектора транзистора. Аналогичное соответствие должно обеспечиваться для всех элементов, входящих в состав ИМС. Оно является главным признаком и непременным условием применения интегральной технологии и позволяет минимизировать число технологических операций, составляющих цикл обработки.
Таким образом, интегральная технология представляет собой совокупность методов обработки, позволяющую при наличии структурного подобия (технологической совместимости) различных элементов ИМС формировать их одновременно в едином технологическом процессе.
Важно отметить, что выпускаемые в составе той или иной серии ИМС различного функционального назначения имеют единую структуру и, следовательно, единую базовую технологию. Для базовой технологии характерны не только определенная технологическая последовательность обработки и определенный комплект оборудования, но и постоянная, отработанная настройка оборудования, т. е. жесткие технологические режимы. Последнее является существенным для экономичности и эффективности процесса производства ИМС.
Очевидно, что базовая технология не зависит от размеров элементов в плане, их взаимного расположения и рисунка межсоединений. Все эти свойства конкретной ИМС определяются в процессе топологического проектирования, а обеспечиваются фотолитографией — процессом избирательного травления поверхностных слоев с применением защитной фотомаски.
Рисунок 14 Фрагмент ИМС с диффузионно-планарной структурой: T — транзистор; R — резистор
Топология микросхемы — чертеж, определяющий форму, размеры и взаимное расположение элементов и соединений ИМС в плоскости, параллельной плоскости кристалла. Поскольку элементы и соединения формируются путем последовательного отдельных слоев (коллекторный слой, базовый слой и т. д.), различают общую и послойную топологию. По чертежу базового слоя, например, может быть разработан чертеж фотошаблона, с помощью которого создают окисную маску для избирательной диффузии примеси р-типа.
При заданном наборе элементов топология ИМС (точнее, рисунок межсоединений) определяет ее функциональные свойства. Можно представить себе кристалл, содержащий некоторый универсальный набор элементов (очевидно, с некоторой избыточностью) и сплошной слой металлизации. Такие кристаллы в составе общей пластины могут быть «доработаны» по желанию заказчика до конкретных функциональных ИМС в зависимости от рисунка межсоединений, выполненного с помощью соответствующего фотошаблона. Описанная универсальная пластина-заготовка, получившая название базового кристалла, позволяет обеспечить экономичность производства ИМС более узкого, специального применения, выпускаемых в небольших количествах.
Нужна помощь в написании курсовой?
Мы - биржа профессиональных авторов (преподавателей и доцентов вузов). Наша система гарантирует сдачу работы к сроку без плагиата. Правки вносим бесплатно.
Рисунок 15 Фрагменты общей (а) и послойной (базового слоя) (б) топологии ИМС: 1 — дефекты, возникшие на этапе металлизации; 2 — дефекты, возникшие на этапе диффузии примеси
Применение полупроводниковых интегральных микросхем, однако, ограничено рядом причин. Одна из них заключается в том, что производство полупроводниковых ИМС оказывается целесообразным лишь в крупносерийном и массовом производстве, когда становятся экономически оправданными значительные затраты на подготовку производства (главным образом на проектирование и изготовление комплекта фотошаблонов). Другая причина лежит в ряде ограничений на параметры элементов и ИМС в целом: невысокая точность диффузионных резисторов (±10%) и отсутствие возможности их подгонки, невозможность получать конденсаторы достаточно больших емкостей, температурные ограничения, ограничения по мощности и др.
Наряду с полупроводниковыми ИМС поэтому разрабатывают и выпускают комбинированные гибридные интегральные микросхемы. Технологической основой таких ИМС являются процессы нанесения резисторов, конденсаторов, проводников и контактов в виде пленок соответствующих материалов на диэлектрическую пассивную подложку. Поскольку активные элементы — транзисторы, диоды — не могут быть изготовлены по пленочной технологии, их изготовляют по известной полупроводниковой технологии, а затем монтируют на общей подложке (рисунок 16).
Рисунок 16 Фрагмент гибридной ИМС: R — резистор, С — конденсатор, ПП — кристалл полупроводникового прибора
Гибридная пленочная интегральная микросхема — ИМС, которая наряду с пленочными элементами, полученными с помощью интегральной технологии, содержит компоненты, имеющие самостоятельное конструктивное оформление. В зависимости от метода нанесения пленочных элементов на подложку различают тонкопленочные (напыление в вакууме) и толстопленочные (трафаретная печать) гибридные ИМС.
Стремление расширить область применения полупроводниковых ИМС привело к созданию другого типа комбинированных микросхем (рисунок 16). При их изготовлении полупроводниковую технологию совмещают с тонкопленочной технологией для создания некоторых пассивных элементов, к которым предъявляются повышенные требования по точности и температурной стабильности.
Рисунок 17 Фрагмент совмещенной ИМС: Т — транзистор, R — пленочный резистор
Совмещенная интегральная микросхема — это комбинированная интегральная полупроводниковая микросхема, в которой некоторые элементы (обычно пассивные) наносят на поверхность пластины (кристалла) методами пленочной технологии.
5. ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Изучены общие сведения по диодам, физические принципы работы, технологии получения p-n перехода, использование диодных структур в интегральных микросхемах и другие особенности полупроводниковых приборов.
По разработанной методике был рассчитан p-n переход, полученный диффузионным методом.
6. БИБИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
Нужна помощь в написании курсовой?
Мы - биржа профессиональных авторов (преподавателей и доцентов вузов). Наша система гарантирует сдачу работы к сроку без плагиата. Правки вносим бесплатно.
1. Королёв, В.Л. Конструирование полупроводниковых интегральных схем: учеб. пособие для студентов специальности 230.- « Конструирование и технология радиоэлектронных средств» / В.Л. Королев, Л.Д. Карпов. КрПИ. Красноярск, 1992, 118 с.
2. Тугов, Н.М. Полупроводниковые приборы: учебник для вузов/ Н.М. Тугов, Б.А. Глебов, Н.А. Чарыков; под ред. В.А. Лабунцова. М.: Энергоатомиздат, 2016. 576 с.
. Коледов Л.А. Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок: учебник для вузов/ Л.А. Коледов. М.: Радио и связь, 1989. 400 с.
4. Епифанов, Г.И. Физические основы микроэлектроники / Г.И. Епифанов. Москва: Советское радио, 1971. 276 с.
5. Пономарев, М.Ф. Конструкции и расчеты микросхем и микроэлементов: учебник для вузов / М.Ф. Пономарев. ЭВА. М.: Радио и связь, 1982. 288 с.
. Росадо, Л. Физическая электроника и микроэлектроника: учеб. пособие для студентов/ Л. Росадо. М.: Высшая школа, 1991.
. Степаненко, И. П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем / И.П. Степаненко. Москва: Энергия, 1977. 672 с.
8. Сугано, Т. Введение в микроэлектронику: пер. с япон. / Т. Сугано, Т. Икома, Е. Такэиси. М.: Мир, 1988. 320 с.
9. Трутко, А. Ф. Методы расчёта транзисторов / А.Ф. Трутко. Москва: Энергия, 1971. 272 с.
10. Шахгильдяна В.В. Проектирование радиопередающих устройств: Учеб. пособие для вузов / Под ред. В.В.Шахгильдяна. М.: Связь, 1976.
11. Королёв В. Л., Карпов Л. Д. Конструирование полупроводниковых интегральных схем: Учеб. пособие для студентов специальности 2303. « Конструирование и технология радиоэлектронных средств» / КрПИ. Красноярск, 1992, 118 с.
ПРИЛОЖЕНИЯ
Нужна помощь в написании курсовой?
Мы - биржа профессиональных авторов (преподавателей и доцентов вузов). Наша система гарантирует сдачу работы к сроку без плагиата. Правки вносим бесплатно.
Рисунок 18 Общий вид диода
Рисунок 19 Диод без корпуса